پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن

word
68
1 MB
32279
1393
کارشناسی ارشد
قیمت: ۶,۸۰۰ تومان
دانلود فایل
  • خلاصه
  • فهرست و منابع
  • خلاصه پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن

    پایان­نامه تحصیلی جهت اخذ درجه کارشناسی ارشد

    رشته برق گرایش الکترونیک

    چکیده

     

    در این پایان نامه ابتدا مقدمه­ای از گرافن، روش ساخت، مزایا و کاربردهای آن در ترانزیستور های اثر میدانی و تحقیقات انجام شده استخراج و مورد بررسی قرار خواهد گرفت، سپس مروری بر ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن خواهیم داشت و روش های شبیه‏ سازی­ ترانزیستور های اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن معرفی و فرمول های محاسبه و شبیه سازی مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی معرفی می گردد. در ادامه پارامترهای موثر بر مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن، ارائه و نتایج شبیه‏سازی­های مبتنی بر تابع گرین غیرتعادلی برای ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن ماسفتی ترسیم می­گردد. نهایتا اثرات تغییر ساختار برمنحنی مشخصه­های ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن ، به روش تابع گرین غیرتعادلی با هدف بررسی تغییر پارامترهای موثر بر پاسخ گذرا  مورد ارزیابی قرار می گیرد.

    مقدمه

     

        در سال 1961، دانشمندان پیش بینی کردند که هیچ ترانزیستور در یک تراشه نمی تواند کوچکتر از 10 میلیونیم یک متر شود]1[. در حالی که بعدا تراشه های پنتیوم های مدرن اینتل 200 برابر کوچکتر از آن شد. محققان در حال حاضر در حال کار روی روش های مبتکرانه برای ساخت افزاره های کوچک تر هستند. به طور خاص، چندین افزاره نانوالکترونیک مانند ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربن ]1-3[ ترانزیستورهای اثر میدانی میدانی نانوسیم سیلیسیم]1-3[ ، و نیمه هادی مرکب مسطح ]3-5[ در حال ظهور هستند.  همه آنها را به عنوان نامزدهای بالقوه برای مجتمع سازی بر روی پلت فرم یکپارچه سیلیکون برای افزایش عملکرد مدار و همچنین برای گسترش قانون مور پیشنهاد می شوند]1[. با کوچک سازی فوق العاده ترانزیستور اثر میدانی چالش های جدید بوجود می آیند، به عنوان مثال یکی از چالش ها اثرات قابل ملاحظه­ای از جمله آثار نامطلوب کانال کوتاه، کمترشدن سرعت سوئیچینگ، زیاد شدن جریان نشتی و درنتیجه بالارفتن توان مصرفی در مدارهای کاربردی پدیدار می­شود. همین دلایل، موجب جستجوی یافتن افزاره ها  یا مواد جدید شد که قادر به ادامه مسیر کوچک سازی ترانزیستورها مطابق با قانون مور باشد. یکی از گزینه های مناسب برای کانال در ترانزیستورهای آینده، می تواند مبتنی بر گرافن باشد. استفاده از گرافن[1]  به منزله مجموعه ای از نانو نوار به عنوان مبنایی برای ترانزیستورهای اثر میدانی[2] مدتی است که موجب جلب نظر ویژه ای شده است‏‏‏. این ماده یک کلاس جدید از مواد در خانواده کربن است که برای توسعه دستگاه های نانو الکترونیکی امیدوار کننده است.[2،3]

       گرافن نام یکی از آلوتروپ های کربن است و بصورت یک شبکه دو بعدی (2D) از اتم های کربن است که در یک پیکربندی شش ضلعی اتم ها با هیبرید SP2  به هم متصل شده اند. در گرافیت (یکی دیگر از آلوتروپ های کربن)، هر کدام از اتم‌های چهارظرفیتی کربن، با سه پیوند کووالانسی به سه اتم کربن دیگر متصل شده‌اند و یک شبکه گسترده را تشکیل داده‌اند. این لایه خود بر روی لایه‌ای کاملاً مشابه قرار گرفته‌است و به این ترتیب، چهارمین الکترون ظرفیت نیز یک پیوند شیمیایی داده‌است، اما پیوند این الکترون چهارم، از نوع پیوند واندروالسی است که پیوندی ضعیف است. به همین دلیل لایه‌های گرافیت به راحتی بر روی هم سر می‌خورند. گرافن ماده‌ای است که در آن تنها یکی از این لایه‌های گرافیت وجود دارد و به عبارتی چهارمین الکترون پیوندی کربن، به عنوان الکترون آزاد باقی مانده‌است. در یک صفحه گرافن، هر اتم کربن با 3 اتم کربن دیگر پیوند داده است.  این سه پیوند در یک صفحه قرار دارند و زوایای بین آن‏ها با یکدیگر مساوی و برابر با °120 است. در این حالت، اتم‏های کربن در وضعیتی قرار می‏گیرند که شبکه‏‌ای از شش ضلعی‏های منتظم را ایجاد می‏کنند. البته این ایده‏آل‏ترین حالت یک صفحه‏ ی گرافن است. در برخی مواقع، شکل این صفحه به گونه‏ای تغییر می‏کند که در آن پنج‌ضلعی‏ها و هفت‌ضلعی‏ هایی نیز ایجاد می‏شود. طول پیوند کربن کربن در گرافن در حدود 0.142 نانومتر است.

        کشف گرافن که ورقی به ضخامت یک اتم از اتم های کربن مرتب شده در یک شبکه لانه زنبوری موجب شد فیزیکدانان برجسته آندره کی جیم و کنستانتین نوولسو[3] هر دو از دانشگاه منچستر در انگلستان، در سال 2010 جایزه نوبل در فیزیک را به دست آورند. هنگامی که نانولوله های کربنی و گلوله های توپی ها کشف شد این ایده که یک ورق " مستقل"  گرافن، فیلم کربن به ضخامت یک اتم که به صورت ثابت و یا به حالت معلق که محکم به هم متصل نیست می تواند از هم  جدا شود از 1980 بررسی شده بود]1[، اما پس از سالها تلاش ناموفق برای جدا کردن گرافیت به ورق گرافن تشکیل دهنده آن محققان در اوایل این دهه به این نتیجه رسیدند بودند که گرافن مستقل نمی تواند جدا شود . اصول ترمودینامیک پیش بینی کرد که مواد خود به خود به صورت نانولوله و یا دیگر ساختار منحنی شکل جمع می شوند. با این حال در سال 2004، آندره کی گیم و کنستانتین نوولسو بر روی یک روش شگفت آور ساده برای لایه برداری تراشه کمی از گرافیت کار می کردند که با تکرار چسباندن نوار چسب در برابر کریستال و کندن از هم نوار گرافن بدست می آمد. تیم آنها نشان داد که نه تنها ورق گرافن می تواند جدا شود بلکه به خصوص در دمای اتاق پایدار باقی می ماند. کشف این روش ابتدایی برای جدا کردن ورق گرافن منجر به انفجار در تحقیقات گرافن شد.  این مواد به سرعت تبدیل به یک انتخاب برتر برای برنامه های کاربردی پیشرفته کامپیوتر ]2،3[، صفحه نمایش دیجیتال ]2،3[و انواع دیگر مدار انعطاف پذیر الکترونیک]1-3[ و مواد کامپوزیت پیشرفته شد. امکان استفاده از گرافن در کاربردهایی به شیوه ی مشابه برای نانولوله های کربنی مطرح شده است.

    دلیل اینکه نانو نوار گرافن برای آینده برنامه الکترونیکی دیجیتال بسیار مناسب هستند نه تنها به خاطر اندازه کوچک که ویژگی های بالقوه خود به ویژه خواص الکترونیکی و حرارتی است [6]. یکی از خواص نانو نوار گرافن این است که انتقال حامل آن یک بعدی است. این نوع از انتقال می تواند اثر پراکندگی[4] را مهار نماید و در عین حال می تواند موجب انتقال بالستیک  شود. به عنوان یک نتیجه، اتلاف قدرت نانو نوار گرافن بسیار کم است.

    Abstract:

    In this thesis, at the first will be extraction and investigated the introduction of graphene nano ribbon, manufacturing methods and the advantages and applications of the research conducted in the field-effect transistors. Then we will review the structure of different type of graphene nano ribbon field-effect transistors and will be introduced calculation formula and simulation of GNRFET’s based on non equilibrium Green’s function. In next section, the affecting parameters of the transient characteristics of GNRFET’s presentated and simulation results based on NEGF for the MOS like GNRFET’s  drawn. Finally, Evaluated effects of changing structure of characteristic curve of the GNRFET’s based on NEGF by purpose the Change of parameters that influence the transient response.

  • فهرست و منابع پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن

    فهرست:

    فهرست: 3

    فهرست جدول ها 5

    چکیده. 8

    فصل اول.. 10

    مقدمه.. 10

    فصل دوم. 17

    2-1- معرفی نانو نوار گرافن.. 17

    2-1-1- روش های تولید گرافن : 24

    2-1-1-1- لیتوگرافی پرتو E.. 24

    2-1-1-2- روش‌ پوسته پوسته کردن میکرومکانیکی : 25

    2-1-1-3- روش رشد همبافته : 26

    2-1-1-4- روش رسوب نشانی بخار شیمیایی(CVD) : 26

    منبع:

     

    [1] M. Lundstrom and J. Guo, Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling and Simulation, New York: Springer-Verlag, 2006.

    [2] Gengchiau Liang, Neophytos Neophytou, Dmitri E. Nikonov, and Mark S. Lundstrom, Theoretical study of Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors, Technical Proceedings of NSTI Nanotechnology Conference and Trade Show, vol.1, May 2007.

    [3] Gengchiau, Neophytos Neophytou, Dmitri E. Nikonov, and Mark S. Lundstrom, Performance Projections for Ballistic Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors,

    IEEE Trans. Electr. Dev. vol. 54, pp. 677-682, 2007.

    [4] Fujita M., Wakabayashi K., Nakada K. and Kusakabe K., Peculiar Localized State at Zigzag Graphite Edge,  J. Phys. Soc. Jpn. Vol.65, pp. 1920-1923 ,1996.

    [5] Nakada K., Fujita M., Dresselhaus G., and Dresselhaus M.S., Edge state in Graphene ribbons: Nanometer size effect and edge shape dependence, Physical Review B, vol. 54, pp. 17954–17961, 1996.

    [6] Zhixin Guo, Dier Zhang, and Xin-Gao Gong, Thermal conductivity of Graphene nanoribbons, Applied physics letters, vol.95, pp. 163103-163106, 2009.

    [7] Azad Naeemi and James D. Meindl, Conductance Modeling for Graphene Nanoribbon (GNR) Interconnects, IEEE Electron Device Letters, vol. 28,pp. 428-431, May 2007.

    [8] X. Li, H. Dai, Chemically Derived, Ultrasmooth Graphene Nanoribbon Semiconductors, Science, vol. 319, pp. 1229-1232, 2008.

    [9] Iang, Q.,et.al., Superconducting Switch Made of Graphene Nanoribbon Junctions, Nanotechnology ,vol.19 , pp.355706-355713, 2008.

    [10] Yijian Ouyang, Youngki Yoon, and Jing Guo, Scaling Behaviors of Graphene Nanoribbon FETs: A Three Dimensional Quantum Simulation Study IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 54, pp. 2223-2231, September 2007.

    [11] Dr. Lei Liao , Jingwei Bai, Yungchen Lin, Dr. Yongquan Qu, Prof. Yu Huang, and Prof. Xiangfeng Duan, High Performance Top-Gated Graphene Nanoribbon

    Transistors Using Zirconium Oxide Nanowires as High-k Gate Dielectrics, Adv Mater.,vol.22, pp. 1941–1945, May 2010 .

    [12] S. Luryi, Quantum capacitance devices, Appl. Phys. Lett., vol. 52, pp. 501–503, Feb.1988.

    [13] A. Rahman, J. Guo, S Datta, and M. Lundstrom, Theory of ballistic nanotransistors,IEEE Trans. Electron Devices, vol. 50, pp. 1853-1164, Sep. 2003.

    [14] M. R. Choudhury et al.., Technology exploration for Graphene nanoribbon FETs, in Proc. Design Automation Conference, pp. 272–277, 2008.

    [15] Khairul Alam, Transport and performance of a zero-Schottky barrier and doped contacts graphene nanoribbon transistors, Semicond. Sci. Technol., vol.24, pp, 015007-015022, 2009.

    [16] Youngki Yoon, Gianluca Fiori, Seokmin Hong, Giuseppe Iannaccone, and Jing Guo,Performance Comparison of Graphene Nanoribbon FETs with Schottky Contacts and Doped Reservoirs, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 55, pp. 2314–2323, Sep. 2008.

    [17] M. Y. Han et al., Energy band-gap engineering of graphene nanoribbons,Physical Review Letters, vol. 98, p. 206805-206808, 2007.

    [18] D. Basu et al., Effect of edge roughness on electronic transport in graphene nanoribbon channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors, Applied Physics Letters, vol. 92, p. 042114, 2008.

    [19] Y. Yoon and J. Guo, Effect of edge roughness in graphene nanoribbon transistors,Applied Physics Letters, vol. 91, p. 073103, 2007.

    [20] Yijian Ouyang, Youngki Yoon, and Jing Guo, Edge Chemistry Engineering of Graphene Nanoribbon Transistors: A Computational Study, IEEE Trans. Electr. Dev.,

    pp. 1-4, 2008.

    [21] Yijian Ouyang, Hongjie Dai, and Jing Guo1 Projected Performance Advantage of Multilayer Graphene Nanoribbon as Transistor Channel Material, Nano Res, vol. 3, pp. 8–15, 2010.

    [22] A. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov and A. K. Geim, Rev., Modern Phys., 81 (2009).

    [23] K. Novoselov, A. Geim, S. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. Dubonos, I. Grigorieva and A. Firsov, Science, 306 (2004).

    [24] S. Das Sarma, S. Adam, E. H. Hwang and E. Rossi, Rev. Mod. Phys., 83 (2011).

    [25] X. Wang, Y. Ouyang, X. Li, H. Wang, J. Guo, and H. Dai, Room-Temperature All- Semiconducting Sub-10-nm Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors, Phys.

    Rev. Lett. vol. 100, pp. 206803-206807, 2008.

    [26] Erjun Kan, Zhenyu Li, and Jinlong Yang, ―Graphene Nanoribbons: Geometric,

    Electronic, and Magnetic Properties, Intech, pp. 332-348, March 2011.

    [27] ircea R. Stan, Dincer Unluer, Avik Ghosh, and Frank Tseng, ―Graphene Devices, Interconnect and Circuits –Challenges and Opportunities, IEEE Electron Device Letters, vol. 978, pp. 69-72, 2009.

    [28] Azad Naeemi and James D. Meindl, Conductance Modeling for Graphene Nanoribbon (GNR) Interconnects, IEEE Electron Device Letters, vol. 28,pp. 428-431, May 2007.

    ]29[ معظمی گودرزی  م -  بررسی عوامل موثر بر پایدار سازی نانو صفحات گرافن در سامانه های پلیمری -  دانشگاه امیرکبیر – 1389.

    ]30[ تقی اسکویی  م – روند تحقیقات در زمینه گرافن - ماهنامه فناوری نانو -  سال هشتم اسفند1388- شماره 12، پیاپى149.

    ]31[ آقاجانی ت -  بررسی رفتار الکترو شیمیایی  و کاربرد الکترود طلای اصلاح شده بوسیله گرافن عامل دار شده در لبه ها –  ارشد دانشگاه صنعتی شریف – 1391.

    [32] Lu, X. K. , M. F. Yu, H. Huang, and R. S. Ruoff. 1999. Tailoring graphite with the goal of achieving single sheets. Nanotechnology.

    [33] A. K Geim ,  K. S. Novoselov , S.V. Morozov , D.Jiang , Y. Zhang , S. V. Dubons , I . V. Grigorieva , A . A . Firsov  .2004.Electric field in atomically thin carbon films

    [34]Matthew J Alen , Vincent C.Tung , Richard B. Kaner.2010.  A review of graphene

    [35]Robertj,young,Ian A. Kinloch , Lei Gong , Kostya S. Novoselov.. 2010 The mechanics of graphene nano composites : A review.

    [36]Park, S., and R. S. Ruoff. 2009. Chemical methods for the production of graphenes. Nature Nanotechnology.

    ]37[ موسسه کامپوزیت ایران- نشریه کامپوزیت

    [38]Stephan Roche, Nature Nanotechnology 6, 8–9 (2011), oi:10.1038/nnano.2010.262 Published online 23 December 2010

    [39] Liying Jiao, Li Zhang, Xinran Wang, Georgi Diankov & Hongjie Dai1, Narrow

    graphene nanoribbons from carbon nanotubes,Nature, vol. 458, pp. 877-880, 2009.

    [40] Norma L. Rangel, Juan C. Sotelo, and Jorge M. Seminario, ―Mechanism of carbon nanotubes unzipping into graphene ribbons, Chemical Physics, vol.131, pp.031105- 031109, 2009.

    [41] Andreas Hirsch, ―Unzipping Carbon Nanotubes: A Peeling Method for the Formation of Graphene Nanoribbons, Angew. Chem. Int. Ed.,vol. 48, pp. 6594  6596, 2009.

    [42] Alexander Sinitskii, Alexandra A. Fursina, Dmitry V. Kosynkin, Amanda L. Higginbotham,Douglas Natelson, and James M. Tour, Electronic transport in monolayer graphene nanoribbons produced by chemical unzipping of carbon nanotubes, Applied Physics Letters, vol. 95, pp. 253108-253110, 2009.

    [43] Sang-Chul Jeon,Dong-Kyu Lee, Young-Su Kim, Fabrication of a Graphene Nanoribbon with Electron Beam Lithography Using a XR-1541/PMMA Lift-Off Process, Transactions on Electrical and Electronic Materials ,Vol.11, pp. 190-193, August 25, 2010.

    [44] Th. Nirschl, “Scaling Properties of the tunneling field effect transistor (TFET):

    Device and circuit”Solid-stata Electronic. vol. 50, 2006, PP. 44–51.

    [45] K. Boucart, A. M. Ionescu, “Double-Gate Tunnel FET With High-k Gate Dielectric” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, NO. 7, JULY 2007 PP. 1725- 1733.

    [46] P.-F. Wang “Complementary tunneling transistor for low power application”

    Solid-stata Electronic. vol. 48, 2004, PP. 2281-2286.

    [47] K. Boucart, A. M. Ionescu, “Double Gate Tunnel Fet with ultrathin silicin body

    and high-k gate dielectric” Solid-State Device Research Conference, 2006, PP.383-

    386.

    [48] K. K. Bhuwalk, S. Sedlmaier, “Vertical Tunnel Field-Effect Transistor” IEEE

    Trans. Electron Devices, vol. 51, NO. 2, FEBRUARY 2004. PP.279-282.

    [49] K. K. Bhuwalk andbook, “A simulation Approach to Optimize the Elecrical Parameters of a Vertical Tunnel FET ” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 52, NO.

    7 JULY 2005. PP 1541-1547.

    [50] Th. Nirschl, “The Tunneling Field Fffect Transistor (TFET) as an Add-on for Ultra-Low-Voltage Analog and Digital Processes” Technical Digest - International

    Electron Devices Meeting, IEDM,2004, PP.195-198.

    [51] Geim A. K., Novoselov K. S., 2007, The rise of graphene, Nature Materials, vol: 6, pp: 183–191.

    [52] Erjun Kan, Zhenyu Li, Jinlong Yang, 2011, Graphene Nanoribbons: Geometric, Electronic, and Magnetic Properties, Intech, pp: 332-348.

    [53] Iang Q. et.al., 2008, Superconducting Switch Made of Graphene–Nanoribbon Junctions, Nanotechnology ,vol:19 , pp:355706-355713.

    [54] Rosales L., 2008, Transport Properties of Graphene Nanoribbon Heterostructures, Microelectronics, vol:39, pp: 537–540.

    [55] Qimin Yan, Bing Huang, Jie Yu, Fawei Zheng, Ji Zang,Jian Wu, Bing-Lin Gu, Feng Liu, Wenhui Duan, 2007, Intrinsic Current-Voltage Characteristics of Graphene Nanoribbon Transistors and Effect of Edge Doping, Nano Lett, Vol: 7, pp:1469-1473.

    [55] S. Datta, Electronic Transport in Mesoscopic Systems (Cambridge University Press, Cambridge, UK, 1995)

    [56] Zhibin Ren, Ramesh Venugopal, Sebastien Goasguen, Supriyo Datta, and Mark S.

    Lundstrom “nanoMOS 2.5: A Two -Dimensional Simulator for Quantum Transport in

    Double-Gate MOSFETs,” IEEE Trans. Electron. Dev., Vol. 50, pp. 1914-1925, 2003.

    [57] Anisur Rahman, Avik Ghosh, and Mark Lundstrom, “Assessment of Ge n-MOSFETs by Quantum Simulation,” to be presented at the Intern. Electron Devices Meeting, Washington, D.C., Dec. 2003.

    [58] J. Guo, S. Datta and M. Lundstrom, “A numerical study of scaling issues for Schottky barrier carbon nanotube transistors,” in press, IEEE Trans Electron Dev., 2003.

    [59] P. Damle, T. Rakshit, M. Paulsson and S. Datta, “Current-voltage characteristics of

    molecular conductors: two versus three terminal,” IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol. 1, pp. 145-153, 2002.

    [60] S. Datta “Nanoscale Device Modeling: the Green’s Function Method” Superlattices and Microstructures, vol. 28, pp. 253-278, 2000.

    [61] S. Datta, “The non-equilibrium Green’s function (NEGF) formalism: an elementary introduction,” pp. 703-706, IEDM Tech. Digest, 2002.

    [62] Jing Guo, Supriyo Datta, and Mark Lundstrom "Towards Multi-Scale Modeling of Carbon Nanotube Transistors," 

    [63] J. Tersoff, “Schottky barrier heights and the continuum of gap states,” Phys. Rev. Lett., vol. 52, 465-568, 1984.

    [64] Zoheir Kordrostami and Mohammad Hossein Sheikhi (2010). Fundamental Physical Aspects of Carbon Nanotube Transistors, Carbon Nanotubes, Jose Mauricio Marulanda (Ed.), ISBN: 978-953-307-054-4, InTech,

    [65] Guo, Jing, Modeling of graphene nanoribbon devices, Nanoscale, 2012,

    Volume="4", issue ="18", pages ="5538-5548", "The Royal Society of Chemistry", 10.1039/C2NR31437A",

    [66] Pei Zhao, Jyotsna Chauhan, and Jing Guo*, Computational Study of Tunneling Transistor Based on Graphene Nanoribbon, Department of Electrical and Computer Engineering, UniVersity of Florida, GainesVille, Florida 32611-6130

    Received October 20, 2008; Revised Manuscript Received December 20, 2008.

    [67] Youngki Yoon1,a, Gianluca Fiori2,b, Seokmin Hong1, Giuseppe Iannaccone2, and Jing Guo1,Performance Comparison of Graphene Nanoribbon FETs with Schottky Contacts and Doped Reservoirs,1 Department of Electrical and Computer Engineering, University of Florida, Gainesville, FL 32611, USA, 2 Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione: Elettronica, Informatica, Telecomunicazioni, Università di Pisa, Via Caruso 16, I-56122 Pisa, Italy

    [68] See for example articles in, IEEE Transactions on Electron Devices, Special Issue on Computational Electronics: New Challenges and Directions, edited by M. S. Lundstrom, R. W. Dutton, D. K. Ferry, and K. Hess (2000).

    [69] See for example, C. P. Collier, E. W. Wong, M. Belohradsky, F. M. Raymo, J. F. Stoddart, P. J. Kuekes, R. S. Williams, and J. R. Heath, Science 285, 391 (1999); J. Chen, M. A. Reed, A. M. Rawlett, and J. M. Tour, Science 286, 1550 (1999).

    [70] A computational study on electrical characteristics of a novel band-to-band tunneling graphene nanoribbon FET, R Yousefi, M Shabani, M Arjmandi, SS Ghoreishi

    Superlattices and Microstructures 60, 169-178, 201

    .



تحقیق در مورد پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, مقاله در مورد پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, پروژه دانشجویی در مورد پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, پروپوزال در مورد پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, تز دکترا در مورد پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, تحقیقات دانشجویی درباره پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, مقالات دانشجویی درباره پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, پروژه درباره پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, گزارش سمینار در مورد پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, پروژه دانشجویی در مورد پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, تحقیق دانش آموزی در مورد پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, مقاله دانش آموزی در مورد پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن, رساله دکترا در مورد پایان نامه مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستور های اثرمیدانی مبتنی بر نانو نوار های گرافن

ثبت سفارش
تعداد
عنوان محصول
بانک دانلود پایان نامه رسا تسیس