پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی

word
81
2 MB
32187
1393
کارشناسی ارشد
قیمت: ۱۰,۵۳۰ تومان
دانلود فایل
  • خلاصه
  • فهرست و منابع
  • خلاصه پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی

    پایان‌نامه‌ی کارشناسی ارشد در رشته‌ی مهندسی برق گرایش الکترونیک

    چکیده

     

     

    پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکار ساز نوری مبتنی بر ساختار لایه‌ های گرافنی-نانو روبان گرافن-لایه‌های گرافنی

     

    به کوشش

     

    هدف از این تحقیق ارائه‌ی پاسخ زمانی آشکارساز نوری مبتنی بر لایه‌های گرافنی و نانوروبان گرافن است. لزوم افزایش گستره‌ی محدوده‌ی طول موج تحت پوشش آشکارساز و توسعه‌ی کاربری در کنار کاهش هزینه در فرآیند تولید، انگیزه‌ی اصلی برای پیشرفت ساختارهای با ابعاد کوچک می‌باشد. گرافن به دلیل طیف انرژی بدون شکاف، پرتوی  الکترومغناطیسی را از محدوده طیفی تراهرتز تا فرابنفش را جذب می‌کند. بازده کوانتومی ‌نسبتا بالا در انتقالات بین باندی گرافن و به خصوص در ساختار گرافن چندلایه، ابداع آشکارسازهای نوری تراهرتز  و زیر قرمز مناسب و جدید را گسترش داده است. چندین مدل از آشکارسازهای IR/THz با به کارگیری ساختار یک و چند لایه به همراه ساختارهای نانوروبان گرافن پیشنهاد، ارزیابی و به صورت تجربه مطالعه شده‌اند. اما علیرغم تلاش‌هایی که شده است هنوز محدوده سرعت نهایی این افزاره‌ها مشخص نیست. در این رساله، ما به بررسی آشکارساز نوری گرافنی می‌پردازیم که از دو ناحیه از لایه‌های گرافنی(GLs)  بدون شکاف انرژی که ناخالص ‌نشده است (نوع i ) تشکیل شده اند. این نواحی جذب توسط اتصالات طرفین تغذیه می‌شوند و به وسیله‌ی یک نانوروبان گرافن (GNR) به هم متصل شده‌اند. در این افزاره جذب توسط لایه‌های گرافنی انجام می‌شود که باعث افزایش چگالی الکترون و حفره در این نواحی می‌شود. این پدیده منجر به جریان الکترون و حفره به صورت ترمویونی در دو طرف سد پتانسیلی شکل گرفته در نانوروبان گرافن می‌شود و جریان نوری ایجاد می‌شود. حضور نانوروبان گرافن و سد پتانسیل مربوط به آن باعث کاهش جریان تاریک می‌شود. در لایه‌های گرافنی که تحت تابش قرار گرفته‌اند، بخش اعظم انرژی نوری جذب‌شده به انرژی الکترون- حفره‌ها منتقل می‌شود که معمولا این منجر به گرم شدن سیستم الکترون- حفره می‌شود. در نتیجه فونون‌های نوری گسیل‌شده توسط الکترون و حفره‌هایی که به وسیله نور تولید شده‌اند، در لایه‌های گرافنی انباشته می‌شوند. بنابراین به نظر می‌رسد به حساب آوردن گرمای فونون‌های نوری غیر قابل صرف نظر باشد. پس نرخ تولید و فرسایش فونون‌های نوری نیز در معادلات نرخ باید در نظر گرفته شود. در این رساله پاسخ زمانی آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار GL-GNR-GL را با به دست آوردن معادله نرخ ارائه شده است و نتایج نشانگر آن است که در فرکانس‌های بالا این آشکارساز نوری پاسخ سریع‌تری دارد و در فرکانس‌های پایین دارای پاسخ نوری مطلوب‌تری می‌باشد

     

    فصل 1- مقدمه

     

     

    ادوات نوری شامل لیزرها، مدولاتورها، کوپلرها، آشکارسازها، سوئیچ‌ها و دیگر افزاره‌ها، قلب تحول مخابرات هستند که بخش عظیمی از مهندسی الکترونیک را به خود اختصاص داده‌اند. در این میان آشکارسازهای نوری علاوه بر کاربرد در مخابرات برای تبدیل انرژی نوری به الکتریکی در قسمت گیرنده‌ی فیبر نوری، کاربردهای دیگری نیز دارند. از کاربردهای ساده‌ای مانند درهای اتوماتیک گرفته تا تصویربرداری، کاربردهای فضایی، نظامی و پزشکی.

    در میان آشکارسازهای نوری، در بیشتر آشکارسازهای زیر قرمز و افزاره‌های تصویربرداری، ساختارهای نیمه‌هادی با شکاف انرژی باریک نظیر HgCdTe و InSb به کار گرفته شده‌اند. لزوم افزایش گستره‌ی محدوده‌ی طول موج تحت پوشش آشکارساز و توسعه‌ی کاربری در کنار کاهش هزینه در فرآیند تولید، انگیزه‌ی اصلی برای پیشرفت ساختارهای با ابعاد کوچک[1] مانند چاه‌های کوانتومی[2]، نقطه‌های کوانتومی[3] و سیم‌های کوانتومی[4] در آشکارسازهای نوری شده است [1]. به تازگی مطالعه‌ی افزاره‌های مبتنی بر ترکیبات کربنی مانند نانوتیوب‌ها، لایه‌های گرافنی و نانوروبان‌های گرافن به  علت ویژگی‌های منحصر به فردی که دارند، به سرعت در حال افزایش است. در این فصل به عنوان مقدمه ابتدا در مورد ویژگی‌های الکترونیکی نوری گرافن توضیح مختصری داده خواهد شد، سپس به توصیف کلی عملکرد آشکارساز نوری مبتنی بر GL-GNR[5]-GL[6] پرداخته می‌شود و در بخش آخر پیکربندی پایان‌نامه ارائه می‌گردد.

    1-1- ویژگی‌های گرافن

     

    امروزه استفاده از افزاره‌های سیلیکونی در همه‌ی جنبه‌های زندگی ما مشهود است به طوری‌که گفته می‌شود در "عصر سیلیکون" قرار داریم. یکی از کاربردهای افزاره‌های سیلیکونی در آشکارسازی نور است ولی پیشرفت‌های اخیر در علم نانوفناوری افق‌های روشنی در جهت طراحی افزاره‌های نوری زیر میکرومتری نیز به ما می‌نمایاند. دلیل این ظرفیت بالا برای پیشرفت، قابلیت کار کردن با مولکول‌های منحصر به فرد یا رشد شیمیایی مواد است [2].

    با توجه به اینکه فناوری مبتنی بر سیلیکن به محدودیت‌های خاص خود رسیده است، ماده‌ی جدیدی توجه محققان را به خود جلب کرده است تا جایگزین نقش سیلیکن در فناوری نیمه‌هادی شود. بسیاری از گزینه‌های موجود برای جایگزینی سیلیکن حذف شده‌اند و سیلیکن هنوز معتبرترین ماده نیمه‌هادی موجود برای استفاده در این حوزه است. با این حال، هر چه اندازه‌ی افزاره‌های الکترونیکی کوچک‌تر می‌شود، سیلیکن به محدودیت‌‌های مقیاسی در افزاره‌ می‌رسد و باور دانشمندان بر این است که در آینده‌ی نزدیک سیلیکن بیش از این نمی‌تواند نیاز کاربردهای الکترونیک فرکانس بالا را در بازار برآورده کند. طبق قانون مور[7] تعداد ترانزیستورها در مدارهای مجتمع در هر دوره‌ی 18ماهه دوبرابر می‌شود. با کوچک و کوچک‌تر شدن افزاره‌های نیمه‌هادی مبتنی بر سیلیکن، در حال حاضر فناوری سیلیکن بر روی مرزهای محدودیت‌های اساسی قرار دارد و برخی مشکلات مانند تونل‌زنی در MOSFETها ممکن است بروز کند. بنابراین یک تحقیق کامل برای ایجاد گزینه‌های جایگزین برای  فناوری افزاره‌ی حالت جامد بدون هیچ نوع مشکلی در اندازه نیاز است [3].

    در میان مولکول‌های مختلف، به نظر می‌آید که ترکیب‌های کربن امیدبخش‌ترین موادی هستند که از نظر شیمیایی بسیار به سیلیکون شبیه هستند و در طبیعت به وفور یافت می‌شوند و همچنین کار کردن با آن‌ها آسان است. به ویژه گرافن و نانولوله‌های کربنی که دارای ویژگی‌های الکترونیکی و نوری منحصر به فردی هستند. ویژگی‌های این ماده تا حدی توجه محققان را به خود جلب کرده است که بسیاری ادعا دارند که وارد عصر بعد از سیلیکون یا "عصر کربن" شده‌ایم [2].

    گرافن یک رسانای بسیار عالی، فوق العاده قوی و چند منظوره است. ورقه‌های گرافن می‌تواند به شکل نانولوله‌های چند جداره و تک جداره و نانو روبان‌ها باشند. بسته به اندازه و خواص هندسی آن‌ها می‌توانند مانند فلزات، عایق و یا نیمه‌رسانا رفتار کنند [4].

    گرافن یک لایه از اتم‌های کربن است که با آرایش sp2 در یک شبکه  بلور لانه زنبوری واقع شده است. به دلیل انتقال حامل[8] منحصر به فرد و خواص نوری آن مورد توجه زیادی قرار گرفته است. همان طور که در شکل 1-1 نشان داده شده است، باند هدایت و ظرفیت گرافن یک مخروط متقارن را در نقاط K و ʹK  تشکیل می‌دهند که در این نقاط به یکدیگر متصل می‌شوند و منجر به خواص ویژه‌ای شبیه به فرمیون‌های نسبیتی بدون جرم[9] با انتقال فوق سریع بدون پراکندگی برگشتی[10] می‌شود [5].

    شکل 1-1 شبکه لانه زنبوری و ساختار باندی انرژی برای گرافن [5].

     

    میزان قابلیت حرکت حامل‌های ذاتی بیش از 200000 cm2V-1s-1  برای افزاره‌های مبتنی بر گرافن پیش بینی می‌شود [3] که به طور نظر ی 200 برابر قابلیت حرکت در سیلیکون است. همچنین ذخیره شارژ در گرافن کمتر است، بنابراین فرکانس کاری بالایی دارد. علی‌رغم ضخامت نانومتری گرافن،  2.3درصد نور با طول موج بین 300 نانومتر تا 6 میکرومتر را جذب می‌کند که با افزایش لایه‌های گرافن می‌توان جذب و در نتیجه پاسخ نوری را در طیف وسیعی از طول موج‌ها افزایش داد. گرافن یکی از بیشترین میزان قدرت انتقال حامل‌ها بین باند هدایت و ظرفیت را در بین مواد شناخته شده به خود اختصاص داده است. سرعت حرکت حامل‌ها در گرافن بیشتر ازcm/s  108  است [6].

    خواص الکترونیکی گرافن، قابلیت حرکت بسیار بالای الکترون و حفره‌های بدون جرم (به دلیل پراکندگی خطی ساختار باندی آن‌ها) و سیستم‌های الکترون و حفره دوبعدی واقعی (به علت ساختار تک لایه نازک) برتر از مزیت‌های باقی مواد نیمه‌هادی است. به دلیل رابطه‌ی پراکندگی خطی، چگالی حالت‌ها[11] در گرافن با انرژی متناسب است که چگالی اشباع فوق العاده بالایی در الکترون‌ها و حفره‌ها ایجاد می‌کند. چگالی الکترون و حفره‌ بر سطح در حد 1013 cm-2 به راحتی قابل دستیابی است که 10 برابر بیشتر از مواد نیمه‌هادی معمولی است. بنابراین به علت عدم وجود دره نزدیک نقطه k و k'  بیشینه سرعت الکترون و حفره بسیار بالا است و انرژی فونون‌های نوری  انقدر زیاد است که انتشار فونون‌های نوری ضعیف‌تر از انتشار آن‌ها در مواد نیمه‌هادی معمولی شود [7].

    در کنار لایه‌های گرافنی دو بعدی، مدل‌های اتمی نوار نازک گرافن در درجه اول برای تحلیل ماهیت جابه‌جایی لبه و ظهور زنجیره‌های آویزان معیوب در شبکه‌های کربن درست شده‌اند. انتظار نمی‌رفت که چنین نوارهای گرافنی باریک، موسوم به نانوروبان گرافن، در طبیعت وجود داشته باشد. کشف اینکه مواد گرافنی می‌توانند در حالت آزاد ساخته شوند و با روش‌های پیشرفته‌ی لیتوگرافی ترکیب شوند، تایید کرد که ساختارهای گرافنی محدود به صورت تجربی امکان‌پذیر است. در حال حاضر، ترکیب نمونه‌های نانوروبان گرافن به صورت چشم‌گیری با روش‌های پیشرفته‌تر از لیتوگرافی معمول ساخته شده است. به عنوان مثال، "روبان‌ها" با عرض کمتر از 10 نانومتر توسط اچینگ کریستالوگرافی ساخته شده است [5].

    خواص فیزیکی نانوروبان‌های گرافن به شدت به عرض و توپولوژی ساختارهای لبه‌ی آن‌ها بستگی دارد. دو نوع متعارف از لبه‌های گرافن وجود دارد. به طور کلی، مطالعات نظری نشان می‌دهد که نانوروبان گرافن با لبه زیگزاگ مانند فلز رفتار می‌کند، ولی نانوروبان با لبه آرمچیر رفتارهای متفاوتی بسته به تعداد سلول‌های واحد[12] در عرض نانوروبان دارد [8].

    نیمه‌هادی‌ سیلیکون به دلیل آثار کوانتومی در لایه‌های نازک‌تر نمی‌تواند بازده خوبی در انتقال جریان داشته باشد. علاوه بر این اثر ژول در انتقال الکترون به میزان زیادی گرما تولید می‌کند. همچنین سیلیکن باید از مواد معدنی تولید شود و سپس به صورت ویفر دربیاید که در آخر ماده موثری نخواهد بود زیرا فرآیند ساخت آن طولانی و بسیار تخصصی است و نرم‌افزارهای بسیار پیچیده‌ای برای طراحی جزئیات تراشه و تولید نهایی لازم است که هزینه را بالا می‌برد [2]. از طرف دیگر در موادی مانند ترکیب‌های کربنی که به روش نانو تولید می‌شوند این مشکلات کمتر وجود دارد. طبیعتا افزاره‌هایی که با این مواد ساخته شده باشند از کیفیت بالاتری برخوردار هستند. در میان این افزاره‌ها آشکارسازهای نوری ساخته شده توسط لایه‌های گرافنی از اهمیت بالایی برخوردار است. دانشمندان با پیشنهاد ساختارهای مختلف بر اساس لایه‌های گرافنی و نانوروبان گرافن، به بررسی مشخصه‌های آن پرداخته‌اند که از آن جمله می‌توان آشکارسازی[13] و پاسخ آشکارسازهای نوری[14] را ذکر کرد که به صورت نظری بررسی و تحلیل شده‌اند و نتایج قابل قبولی به دست آمده است.

     

    ABSTRACT

     

     

    TIME RESPONSE AND CIRCUIT MODEL OF GL-GNR-GL BASED PHOTODETECTOR

     

    BY

     

    HAMIDEH SADAT LATIFI

     

     

    Purpose of this thesis is presentation of  time response  of  infrared photodetector based on graphene–graphene nanoribbon structure. The necessity of further extension of the wavelength range covered by photodetectors, widening of functionality as well as cost reduction  in production processes, has stimulated the development of low dimensional structures. Due to the gapless energy spectrum, graphene absorbs electromagnetic radiation from the terahertz to ultraviolet spectral range. The fairly high quantum efficiency of the interband transitions in graphene and particularly in multiple-graphene layer structures promotes the creation of novel effective infrared (IR) and terahertz (THz) photodetectors. Several concepts of IR/THz photodetectors, utilizing graphene single-and multiple layer structures as well as graphene nanoribbon structures have been proposed, evaluated, and studied experimentally. However, despite recent efforts it is not clear what determines the ultimate speed limit of these devices. In this thesis, we consider graphene photodetectors which

     

     
    comprise two undoped (i-type) gapless graphene layers (GLs) and connected with each other by a graphene nanoribbon (GNR). In this device, the incident radiation is absorbed by GLs. This results in an increase in the electron and hole densities in these regions. The latter leads to an increase of the thermionic electron and hole currents across the energy barrier formed in GNRs, i.e., to the appearance of the photocurrent. The presence of the GNR(s) and the pertinent energy barrier provides an opportunity to reduce the dark current. In illuminated GLs, a marked portion of the absorbed optical energy goes to the electron and hole energies. This can normally result in a heating of the electron–hole system. As a result, the optical photons emitted by the photogenerated electrons and holes can accumulate in GLs. Thus, the accounting for the optical phonon heating appears to be indispensable. So, optical phonon generation rate and the rate of optical phonons decay must take into account for the rate equations. In this thesis the time response of  this photodetector by driving the rate equation is presented and the results show that at high frequencies it has faster response and at low frequencies, the devise has better responsivity
  • فهرست و منابع پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی

    فهرست:

    فهرست جدول‌ها ‌ح

    فهرست شکل‌ها ‌ط

    فصل 1- مقدمه.. 1

    1-1- ویژگی‌های گرافن.. 2

    1-2- معرفی آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار GL-GNR-GL.. 5

    1-3- پیکربندی پایان‌نامه.. 8

    فصل 2- مروری بر تحقیقات انجام شده. 11

    2-1- خلاصه پیشی

    نه پژوهشی.. 11

    2-1-1- تاریخچه مختصری از گرافن و فرآیندهای فیزیکی آن تحت تابش.... 11

    2-1-2- خلاصه تحقیقات انجام گرفته بر روی آشکارسازهای نوری گرافنی.. 14

    2-2- دینامیک حامل‌های فوق سریع در گرافن پمپ شده به صورت الکتریکی یا نوری.. 18

    2-3-  نرخ تولید و بازترکیب حامل‌ها برای پراکندگی فونون درون‌دره‌ای و بین دره‌ای در گرافن  21

    2-3-1- مبانی نظری.. 22

    2-3-2- نتیجه محاسبات نرخ تولید و بازترکیب... 24

    2-4-  فرآیند تولید و بازترکیب حامل‌ها و آسایش انرژی در گرافن تحت تابش.... 25

    فصل3- تحلیل زمانی آشکارساز مبتنی بر ساختار GL-GNR-GL.. 32

    3-1- گرافن.. 32

    3-2- شبکه مستقیم.. 36

    3-3- شبکه ی معکوس.... 37

    3-4- ساختار باندی الکترونیکی.. 39

    3-5- پراکندگی انرژی تنگ بست... 42

    3-6- انرژی فرمی.. 44

    3-7- پراکندگی خطی انرژی و چگالی حامل‌ها 45

    3-8- نانوروبان گرافن.. 49

    3-9- دینامیک آسایش حامل‌ها و بازترکیب در پمپ نوری گرافن.. 50

    3-10-  وارونگی جمعیت در گرافن تحت پمپ نوری.. 51

    3-10- 1-  بررسی وضعیت با دمای الکترونیکی پایین.. 51

    3-10-2- بررسی وضعیت با دمای الکترونیکی بالا.. 53

    3-11- تحلیل آشکارساز نوری زیر قرمز مبتنی بر ساختار GL-GNR-GL.. 53

    3-11- 1-  مدل دیود نوری GL-GNR-GL و معادلات مربوطه.. 56

    3-11-2- جریان نوری و جریان تاریک.... 58

    3-12- معادلات مربوط به پاسخ ضربه.. 59

    3-13- پاسخ زمانی به تابع پله.. 65

    3-14 پاسخ زمانی به پالس.... 68

    فصل 4- نتیجه‌گیری و پیشنهادها 71

    4-1- نتیجه‌گیری.. 71

    4-2- پیشنهادها 72

    فهرست منابع: 73

    منبع:

     

    [1] E. Ahmadi , A. Asgari, and K. Ahmadiniar, “The optical responsivity in IR-photodetector based on armchair graphene nanoribbons with p–i–n structure”, Superlattices and Microstructures, vol. 52 ,pp. 605–611, 2012.

    [2] M. Ambrosio, “Nanotechnology: A new era for photodetection?”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, vol. 610,pp. 1-10,2009.

    [3] E. Pince, Graphene based high frequency electronics, Bilkent university, Turkey, Aug 2010.

    [4] A. Iaizzi , Ab initio study of the properties of folded armchair graphene nanoribbons, Ithaca College, United States, May 2011.

    [5] W. Choi, and J. Lee, Graphene synthesis and applications, 1st Edition, CRC Press, 2012.

    [6] F. Xia, T. Mueller, Y.Lin, and P.  Avouris, “Graphene Nanophotonics”,  Lasers and Electro-Optics Society, IEEE LEOS Annual Meeting - PHO, pp. 76-77, 2010.

    [7] T. Otsuji, S. A. Boubanga Tombet, A. Satou, H. Fukidome, M. Suemitsu, E. Sano, V. Popov, M. Ryzhii, and V Ryzhii,  “Graphene-based devices in terahertz science and technology”, Applied Physics, vol. 45, no. 30, 2012.

    [8] E. Ahmadi, A. Asgari, “Theoretical Calculation of Optical Absorption Spectrum for Armchair Graphene Nanoribbon”, Procedia Engineering, vol. 8, pp.25–29, 2011.

    [9] V. Ryzhii ,T. Otsuji, N. Ryabova, M. Ryzhii, V. Mitin ,and V. Karasik, “ Concept of infrared photodetector based on graphene–graphene nanoribbon structure”, Infrared Physics & Technology ,2013.

    [10] F. Rana, P. A. George, J. H. Strait, J. Dawlaty, S. Shivaraman, M. Chandrashekhar, and M. G. Spencer, “Carrier recombination and generation rates for intravalley and intervalley phonon scattering in grapheme”, Physical Review , vol. 79, pp. 1-6, 2009.

    [11] R.S. Shishir, D.K. Ferry, S.M. Goodnick, “Room temperature velocity saturation in intrinsic graphene”Journal of Physics: Conf. Ser. 193, 2009.

    [12] J. M. Dawlaty, S. Shivaraman, M. Chandrashekhar, F. Rana, and M. G. Spencer “Measurement of ultrafast carrier dynamics in epitaxial graphene”, Aapplied physics letters, vol. 92, pp. 1-4, 2008

    [13] K. S. Novoselov, A. K. Geim,S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. Firsov, ‘‘Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene’’,  Nature, vol. 438, pp. 197–200, 2005.

    [14] Y. Zhang, Y.W. Tan, H. L. Stormer, and P. Kim, ‘‘Experimental observation of the quantum hall effect and Berry’s phase in graphene”, Nature, vol. 438, pp. 201–204, 2005.

    [15] F. Schwierz, ‘‘Graphene transistors’’, Nature Nanotechnol., vol. 5, pp. 487–486, 2010.

    [16] T. Mueller, F. Xia, and P. Avouris, ‘‘Graphene photodetectors for high-speed optical communications’’, Nature Photon., vol. 4, pp. 297–301, 2010.

    [17] V. Ryzhii, ‘‘Terahertz plasma waves in gated graphene heterostructures’’,  Jpn. J.Appl. Phys., vol. 45, pp. L923–L925, 2006.

     [18] F. Rana, ‘‘Graphene terahertz plasmon oscillators,’’ IEEE Trans. Nanotechnol., vol. 7, no. 1, pp. 91–99, Jan. 2008.

     [19] A. A. Dubinov, V. Y. Aleshkin, M. Ryzhii, T. Otsuji, and V. Ryzhii, ‘‘Terahertz laser with optically pumped graphene layers and Fabri-Perot resonator,’’ Appl. Phys. Exp., vol. 2, pp. 092301-1–092301-3, 2009.

    [20] V. Ryzhii, A. Dubinov, T. Otsuji, V. Mitin, and M. S. Shur, ‘‘Terahertz lasers based on optically pumped multiple graphene structures with slot-line and dielectric waveguides,’’ J. Appl. Phys., vol. 107, pp. 054505-1–054505-5, 2010.

    [21] B. Sensale-Rodriguez, R. Yan, M. M. Kelly, T. Fang, K. Tahy, W. S. Hwang, D. Jena, L. Liu, and H. G. Xing, ‘‘Broadband graphene terahertz modulators enabled by intraband transitions,’’ Nature Commun., vol. 3, pp. 780–786, 2012.

     [22] H. Suzuura and T. Ando, ‘‘Zone-boundary phonon in graphene and nanotube,’’ J. Phys. Soc. Jpn., vol. 77, pp. 044703-1–044703-11, 2008.

    [23] M. Breusing, C. Ropers, and T. Elsaesser, ‘‘Ultrafast carrier dynamics in graphite,’’ Phys. Rev. Lett., vol. 102, pp. 086809-1–086809-4,2009.

    [24] M. Ryzhii and V. Ryzhii, ‘‘Injection and population inversion in electrically induced p-n junction in graphene with split gates,’’ Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, pp. L151–L153, 2007.

    [25] V. Ryzhii, M. Ryzhii, and T. Otsuji, ‘‘Negative dynamic conductivity of graphene with optical pumping,’’ J. Appl. Phys., vol. 101, pp. 083114-1–083114-4, 2007.

    [26]  A. Satou, S. A. Boubanga Tombet, T. Otsuji, and V. Ryzhii, ‘‘Study of threshold behavior of stimulated terahertz emission from optically pumped graphene’’, OTST: Int. Conf. on Optical Terahertz Science and Technology, 2011.

    [27] H. Karasawa, T. Komori, T. Watanabe, A. Satou, H. Fukidome, M. Suemitsu, V. Ryzhii, and T. Otsuji,‘‘Observation of amplified stimulated terahertz emission from optically pumped heteroepitaxial graphene-on-silicon materials’’, J. Infrared Milli. Terahertz. Waves, vol. 32, no. 5, pp. 655-665, 2011.

     [28] T. Li, L. Luo, M. Hupalo, J. Zhang, M. C. Tringides, J. Schmalian, and J. Wang, ‘‘Femtosecond Population Inversion and Stimulated Emission of Dense Dirac Fermions in Graphene’’, Phys. Rev. Lett. vol. 108,2012.

     [29] H. Wang, J. H. Strait, P. A. George, Sh. Shivaraman, V. B. Shields et al, “Ultrafast relaxation dynamics of hot optical phonons in graphene”, Applied Physics Letters, vol. 96, 2010.

    [30] V. Ryzhii, M. Ryzhii, V. Mitin, and T. Otsuji, “Toward the creation of terahertz graphene injection laser”, J. Appl. Phys. vol. 110, 2011.

    [31] A. Satou, T. Otsuji, and V. Ryzhii, “Theoretical Study of  Population Inversion in Graphene under Pulse Excitation”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 50, 2011.

    [32] J. H. Strait, H. Wang, S. Shivaraman, V. Shields, M. Spencer, and F. Rana, “ Very Slow Cooling Dynamics of  Photoexcited Carriers in Graphene Observed by Optical-Pump Terahertz-Probe Spectroscopy”, Nano Lett., vol. 11, no. 11, pp 4902–4906, 2011.

    [33] V. Ryzhii, M. Ryzhii, V. Mitin, A. Satou, and T. Otsuji, “Effect of Heating and Cooling of Photogenerated Electron–Hole Plasma in Optically Pumped Graphene on Population Inversion”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 50, 2011.

    [34] ] L.A. Falkovsky and A.A. Varlamov, “Space-time dispersion of graphene conductivity”, European Physical Journal ,vol. 56, pp.  281-284, 2006.

    [35] V. V. Cheianov and V. I. Fal’ko, “Selective transmission of  Dirac electrons and ballistic magnetoresistance of  n-p junctions in graphene”, Physical Review , vol. 74,pp1-4. ,2006.

    [36] M. Ryzhii, V. Ryzhii , T. Otsuji, V. Mitin, and M. S. Shur,  “Electrically-induced n-i-p junctions in multiple graphene layer structures”, Physical Review , vol. 82, pp. 1-6, 2010.

    [37] F.T. Vasko and V. Ryzhii, “Photoconductivity of an intrinsic graphene”, Physical Review, vol. 77, pp. 1-8, 2008.

    [38] F. Xia, T. Mueller, Y.  Lin, A. Valdes-Garcia, and P. Avouris, “Ultrafast Graphene Photodetector,”  Nature Nanotechnology, vol. 4, pp.  839 - 843 ,2009.

    [39] V. Ryzhii ,T. Otsuji, N. Ryabova, M. Ryzhii, and V. Mitin, “ Device model of Graphene nanoribbon phototransistor” , Applied physics express, vol.1, pp.1-3, 2008.

    [40] V. Ryzhii, M. Ryzhii, V. Mitin, and T. Otsuji, “Terahertz and infrared photodetection using p-i-n multiple-graphene-layer Structures”, Journal Of Applied Physics, vol. 107,pp. 1-7, 2010.

    [41] M. Ryzhii, T. Otsuji, V. Mitin, and V. Ryzhii, “ Characteristics of p–i–n Terahertz and Infrared Photodiodes Based on Multiple Graphene Layer Structures”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 50 , pp1-6, 2011.

    [42] V. Ryzhii , M. Ryzhii , N. Ryabova , V. Mitin, and T. Otsuji , “Terahertz and infrared detectors based on graphene structures”, Infrared Physics & Technology, vol. 54 , pp.302–305, 2011.

    [43] V. Ryzhii, N. Ryabova, M. Ryzhii, N.V. Baryshnikov, V.E. Karasik, V. Mitin, and T. Otsuji, “Terahertz and infrared photodetectors based on multiple graphene layer and nanoribbon structures” , Opto−Electronics Rrview, vol.20, pp. 15-25, 2012.

    [44] A. Urich, K. Unterrainer, and T. Mueller, “ Intrinsic Response Time of Graphene Photodetectors”, Nano Letters, vol. 11, pp. 2804–2808, 2011.

    [45] A. Satou, T. Otsuji, V. Ryzhii, and F. T. Vasko, “Terahertz Negative Dynamic Conductivity in Optically Pumped Graphene”, PIERS Proceedings, Kuala Lumpur, MALAYSIA, March 2012.

     [46] H. S. PhilipWong, D. Akinwande, Carbon Nanotube and Graphene Device Physics,Cambridge University press,1st edition, 2011.



تحقیق در مورد پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, مقاله در مورد پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, پروژه دانشجویی در مورد پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, پروپوزال در مورد پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, تز دکترا در مورد پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, تحقیقات دانشجویی درباره پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, مقالات دانشجویی درباره پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, پروژه درباره پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, گزارش سمینار در مورد پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, پروژه دانشجویی در مورد پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, تحقیق دانش آموزی در مورد پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, مقاله دانش آموزی در مورد پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی, رساله دکترا در مورد پایان نامه پاسخ زمانی و مدل‌ مداری آشکارساز نوری مبتنی بر ساختار لایه های گرافنی نانوروبان گرافن لایه‌های گرافنی

ثبت سفارش
تعداد
عنوان محصول
بانک دانلود پایان نامه رسا تسیس